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鎢鈦（WTi）薄膜在半導體和光伏電池行業中可用作Al和Si之間有效的擴散阻擋層，其主要通過物理氣相沉積（PVD）技術、通過磁控濺射WTi合金靶材而獲得。 在半導體工業中，鎢薄膜主要用作構成電子部件的材料，例如柵電極或布線材料。這些電子部件的集成度、可靠性、功能特性和處理速度等要求日益增加。 鎢硅靶材通過物理氣相沉積技術（PVD）制備得到鎢硅薄膜，應用在半導體、特別是存儲器，如DRAM中，充當有效的柵極奧姆接觸層

應用領域：半導體及電子技術? 電光源? 航空航天及汽車工業

行業中希望獲取高性能的WTi合金靶材，即濺射過程中產生的顆粒數少、得到的薄膜均一性高幷且具有優良電性能的靶材。為了滿足復雜集成電路擴散阻擋層可靠性的要求，虹鷺的WTi合金靶材具有高純度和高密度的特性。

虹鷺生產的鎢靶密度高，組織均勻，濺射的鎢薄膜具有低電阻、高耐熱等特性，廣泛用于半導體電子部件中，幷且很好的滿足了行業需求。

半導體領域用的鎢硅靶材在純度、組織結構控制以及靶材組件整體質量一致性等方面具有十分嚴格的要求，其對薄膜的性能起著至關重要的影響。

產品形態：

鎢 / 鎢鈦 / 鎢硅靶材，形狀可定制

純度：鎢（上至5N）/? 鎢鈦（上至4N5）/ 鎢硅（上至4N5）